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HiPIMS--高離化率

HiPIMS在高峰值電流500-1000A下，對金屬靶材Ti，Cr，Cu，Ta，TiAl，CrAl等形成高離化率輝光，離化率能達到80%以上。

HiPIMS--高結合力

HiPIMS高離化率配合脈沖偏壓電源同步實現對金屬離子的能量與分布進行調控，對基底進行金屬離子刻蝕清洗，實現在金屬和陶瓷、玻璃、光纖等絕緣基底實現高結合力，TiN在高速鋼劃痕結合力85N，在陶瓷基底金屬化Cu結合力測試達到115N/mm2。

HiPIMS--高致密性

HiPIMS高離化率使得在沉積硬質涂層與金屬涂層時，更易調控金屬離子對膜層的轟擊，能實現膜層的高致密性生長，與傳統DC/MF模式比較，膜層斷面致密光滑；在光纖金屬化焊接后，密封性能測試能達到4.4*10-9 Pa.m3/s。

HiPIMS--高繞射性（3D鍍膜均勻性）

HiPIMS電源在瞬間形成高峰值電流，形成高密度等離子體，使得異性工件成膜均勻性大幅提升，在側面、凹孔、通孔等形狀內部也能形成均勻致密涂層；HiPIMS技術沉積孔內側壁處膜層致密光滑，孔內金屬層方塊電阻更均勻且更低。

HiPIMS--微深孔鍍膜能力

HiPIMS形成超高密度等離子體與脈沖偏壓的脈沖同步配合，通過金屬離子濺射沉積和刻蝕方式實現微深孔內壁金屬化（孔徑40um，孔深500um）；在陶瓷微孔（深徑比為12）內壁金屬化膜層均勻致密，接近垂直生長。

HiPIMS--高亮度

HiPIMS形成超高密度等離子體，實現靶材和反應氣體的高離化率，得到高致密和表面光滑膜層。HiPIMS制備TiN亮度L值達到76.3，高于傳統MF亮度值8個點。TiCN玫瑰金亮度L值達到65，接近多弧裝飾鍍亮度值。

HiPIMS--刃口低損傷DLC涂層

HiPIMS超高離化率在脈沖偏壓等離子體鞘層作用下，膜層在刃口處均勻包裹生長，能保持刃口鋒利度；結合PECVD方法制備低損傷DLC涂層，硬度1500Hv，摩擦系數低于0.15，HSS結合力HF1，摻雜Ag，Cu具備抗菌效果。

HiPIMS--光學鍍膜領域

HiPIMS濺射靶材與反應氣體高離化率，使Ti、Nb、Si靶與氧氣反應濺射不會靶中毒，不存在遲滯曲線現象；制備的光學薄膜其致密度高，折射率相對更高，成膜的應力底。